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MEMORIA NOTEBOOK 4GB DDR4 2400 KINGSTON LOW VOLTAGEM

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R$ 119,90

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CARACTERÍSTICAS
- Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico
- VDDQ = 1,2V típico
- VPP - 2.5V típico
- VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
- Terminação nominal e dinâmica em funcionamento (ODT) para sinais de dados,
estroboscópio e máscara
- auto-atualização automática de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração VREFDQ on-die
- Single-rank
- EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
- Corta de ruptura fixa (BC) de 4 e comprimento de explosão (BL)
de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS)
- Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
- Topologia Fly-by
- Comando de controle e barramento de endereços terminados
- PCB: altura 1.18 "(30.00mm)
- Em conformidade com a RoHS e sem halogéneo

ESPECIFICAÇÕES
CL (IDD) 17 ciclos
Tempo de ciclo da linha (tRCmin) 45.75ns (min.)
Atualizar para Ativo / Atualizar 350ns (min.)
Row Active Time (tRASmin) 32ns (min.)
Potência operacional máxima TBD W *
Avaliação UL 94 V - 0
Temperatura de operação 0 o C a +85 o C
Temperatura de armazenamento -55 o C a +100 o C
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